NO	Kontni tès la		Paramèt default faktori	Inite	Remak
1	Egzeyat	Rated aktyèl egzeyat	100	A
	Chaje	Chaje vòltaj	58.4	V
		Rated aktyèl chaje	50	A	Èske yo ka mete kanpe
2	Fonksyon egalizasyon pasif	Egalizasyon vire-sou vòltaj	3.2	V	Èske yo ka mete kanpe
		Egalize presyon diferans ouvèti	50	mV	Èske yo ka mete kanpe
		Ekilib sou kondisyon	Satisfè tou de:1. Anba chaje 2. Reach mete ekilib ouvèti diferans vòltaj3. Reyalize mete ekilib vire-sou vòltaj la
		Balans aktyèl la	100±20	mA	Remak
3	Pwoteksyon sou chaj sèl sèlil	Single Cell sou-chaj nivo 1 alam vòltaj	3.65±0.05	V	Èske yo ka mete kanpe
		Single Cell over-chaj nivo 1 reta alam	1±0.8	S
		Single Cell sou-chaj nivo 1 vòltaj rekiperasyon alam	3.55±0.05	V
		Single Cell over-chaj nivo 1 reta rekiperasyon alam	1±0.8	S
		Single sèlil sou chaj nivo 2 pwoteksyon vòltaj	3.75±0.05	V
		Single Cell over-chaj nivo 2 pwoteksyon reta	1±0.8	S
		Single Cell over-chaj nivo 2 pwoteksyon rekiperasyon vòltaj	3.65±0.05	V
		Single Cell over-chaj nivo 2 pwoteksyon reta rekiperasyon	1±0.8	S
4	Pwoteksyon sou-egzeyat sèl selil	Single Cell sou-egzeyat nivo 1 alam vòltaj	2.3±0.05	V	Èske yo ka mete kanpe
		Single Cell over-discharge nivo 1 reta alam	1±0.8	S
		Single Cell sou-egzeyat nivo 1 alam rekiperasyon vòltaj	2.4±0.05	V
		Reta rekiperasyon alam yon sèl selil ki depase nivo 1	1±0.8	S
		Single selil sou-egzeyat nivo 2 pwoteksyon vòltaj	2.2±0.05	V
		Single Cell over-discharge nivo 2 pwoteksyon reta	1±0.8	S
		Single selil sou-egzeyat nivo 2 pwoteksyon rekiperasyon vòltaj	2.3±0.05	V
		Single Cell over-discharge nivo 2 pwoteksyon reta rekiperasyon	1±0.8	S
5	Total pwoteksyon surcharge vòltaj	An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 1 vòltaj alam	58.4±0.8	V
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 1 reta alam	1±0.8	S
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 1 vòltaj rekiperasyon alam	56.8±0.8	V
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 1 reta rekiperasyon alam	1±0.8	S
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 2 pwoteksyon vòltaj	60±0.8	V
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 2 pwoteksyon reta	1±0.8	S
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 2 pwoteksyon rekiperasyon vòltaj	58.4±0.8	V
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 2 pwoteksyon reta rekiperasyon	1±0.8	S
6	Total vòltaj sou-egzeyat pwoteksyon	An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 1 vòltaj alam	36.8±0.8	V
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 1 reta alam	1±0.8	S
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 1 vòltaj rekiperasyon alam	38.4±0.8	V
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 1 reta rekiperasyon alam	1±0.8	S
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 2 pwoteksyon vòltaj	35.2±0.8	V
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 2 pwoteksyon reta	1±0.8	S
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 2 pwoteksyon rekiperasyon vòltaj	36.8±0.8	V
		An jeneral vòltaj sou-chaj nivo 2 pwoteksyon reta rekiperasyon	1±0.8	S
7	Chaje / egzeyat sou-kouran pwoteksyon	Egzeyat sou-aktyèl nivo 1 alam aktyèl	120±3%	A
		Egzeyat sou-aktyèl nivo 1 alam reta	1±0.8	S
		Egzeyat sou-kouran nivo 2 pwoteksyon aktyèl	150±3%	A
		Egzeyat sou-kouran nivo 2 pwoteksyon reta	1±0.8	S
		Kondisyon lage	Retire chay la leve
		Chaje sou-aktyèl nivo 1 alam aktyèl	60±3%	A
		Chaje sou-aktyèl nivo 1 alam reta	1±0.8	S
		Chaje sou-kouran nivo 2 pwoteksyon aktyèl	75±3%	A
		Chaje sou-kouran nivo 2 pwoteksyon aktyèl	1±0.8	S
		Kondisyon lage	Retire plato a pou lage
8	Pwoteksyon kout sikwi	Kondisyon pwoteksyon kout kous	Retire plato a pou lage
		Kout sikwi pwoteksyon reta	10 ~ 500	nou	Tès aktyèl la se sijè a batttery kliyan an voye tounen nan konpayi nou an pou tès
		Pwoteksyon kout sikwi lage	retire chaj lage
9	Enpedans entèn	Sikwi prensipal sou-rezistans	<20	mΩ
10	Konsomasyon aktyèl la	Oto-konsomasyon aktyèl pandan operasyon an	<35	mA	Pa enkli modil pwòp tèt ou-konsomasyon
		Oto-konsomasyon aktyèl nan mòd dòmi	<800	uA	Antre: pa gen okenn kominikasyon, pa gen kouran, pa gen okenn siyal kle
		Tan dòmi	3600	S
11	BMS gwosè	Long * Lajè * Segondè (mm) 166 * 65 * 24

---

Lè poste: Oct-05-2023